이와 함께, 회사 기술진은 이전 세대인 238단낸드의개발플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.

이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다.

또, 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상.

이와 함께, 회사 기술진은 이전 세대인 238단낸드의개발플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.

이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다.

또, 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다.

이와 함께 회사 기술진은 이전 세대인 238단낸드의개발플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변화를 최소화함으로써 이전 세대보다 생산성을 59% 향상시켰다.

이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다.

또 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다.

최정달 SK하이닉스낸드개발담당 부사장은 "300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD), 온디바이스 AI 등 AI 저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"고 말했다.

순천 자이

최 부사장은 이어 "이를 통해 고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은.

◇삼성전자, 2026년 400단급낸드양산 목표 양사 모두 보수적 투자 기조는 이어가지만 차세대 제품개발에는 힘쓰고 있다.

낸드회복 사이클 진입 시 시장 지배력을 늘리기 위해서다.

트렌드포스에 따르면 올해 2분기 기준낸드시장 점유율 1위는 삼성전자(36.

9%), 2위 SK하이닉스·솔리다임(22.

NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 10만 9000㎡(3만3000여 평) 규모의 최첨단 복합 연구개발단지로 오는 2030년까지 총 20조 원을 투자한다고 밝힌 바 있다.

미래산업 관계자는 “그래픽 처리 장치(GPU)와 같은 인공지능(AI)을 지원하는 칩에 대한 강력한 수요와낸드플래시.

낸드(NAND)용 웨이퍼 테스터를 공급해왔다.

이번에 공급을 개시하는 HBM용 검사장비는 5세대인 HBM3E와 6세대인 HBM4까지 대응이 가능한 신제품이다.

첫 출하를 시작으로 향후 HBM 시장 확대 및 고객사 투자에 따른 수혜가 기대된다고 회사 측은 설명했다.

와이씨의 주 고객사인 삼성전자는 최근 HBM개발팀.

낸드(NAND)용 웨이퍼 테스터를 공급해왔다.

이번에 공급을 개시하는 HBM용 검사장비는 5세대인 HBM3E와 6세대인 HBM4까지 대응이 가능한 신제품이다.

첫 출하를 시작으로 향후 HBM 시장 확대 및 고객사 투자에 따른 수혜가 기대된다고 회사 측은 설명했다.

와이씨의 주 고객사인 삼성전자는 최근 HBM개발팀.